Обоснование компонентного похода можно сделать после рассмотрения энергии напряжения решётки вблизи произвольного дефекта. Введём понятие ожидаемого значения энергии. Для этого построим дефект, в котором пересекаются две плоскости и рассчитаны энергии в каждом узле кристаллической решётки.

Компоненты сложных дефектов

Будем перемещать курсор по узлам решётки, параллельным одной из плоскостей.

У последнего узла в таблице энергия возросла в 10 раз, то есть ожидалось 0.0272103, а по факту 0.202401.

Персонифицируем такой скачок энергии вблизи пересечения двух плоскостей с линией их пересечения. На рисунке эта линия выделена красным.

Тогда, наряду с частями дефекта, представляющими плоскости, появляется линейный компонент сложного дефекта, который обладает энергией, отличной от двух других.

Распространяя понятие ожидаемого на более сложные варианты дефектов, получим весь спектр компонентов, для которых возможно получить матрицы взаимодействия и рассчитать их энергию.

Электронный адрес проекта: phys.mocate@yandex.ru